PP电子APP下载pp电子APP◈✿。pp电子◈✿！据韩媒ZDNet Korea援引业界消息◈✿，三星电子与SK海力士计划在2025年下半年放缓对先进NAND Flash的投资步伐◈✿。这一决策主要是由于市场需求不确定性较高◈✿，且企业资金更多集中于DRAM和封装领域◈✿，导致对NAND的投资负担加重◈✿。三星自2025年初开始◈✿，在韩国平泽的P1厂和西安NAND厂推进转换投资◈✿，主要将第6pp电子设备◈✿、7代NAND升级至第8◈✿、9代◈✿。这种转换投资相较于新建投资成本更低◈✿，且能部分利用现有设备◈✿，效率较高◈✿。然而◈✿，近期三星针对最先进NAND的转换投资速度有所放缓◈✿。例如◈✿，P1厂的第9代NAND转换投资

　　美光  宣布推出业内最高密度的抗辐射 SLC NAND 闪存pp电子设备◈✿。新发布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天级 NAND◈✿、NOR 和 DRAM 内存解决方案组合中的首款产品◈✿，现已实现商业化◈✿。该产品专为航空航天及其他极端严苛环境使用而设计◈✿。该产品已根据 NASA 的 PEM-INST-001 标准进行了严格的测试◈✿，包括极端温度循环◈✿、缺陷筛选和动态老化◈✿。它还基于美国军用标准 MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通过了辐射耐受性验证◈✿，确保其在高辐射环境中的可靠性◈✿。这

　　(图片来源◈✿：YMTC)长江存储技术有限公司（YMTC）◈✿，中国领先的 NAND 存储器生产商◈✿，自 2022 年底以来一直被美国商务部列入实体清单我也是花下载◈✿，这基本上禁止了其获取先进制造设备◈✿。尽管面临制裁和限制◈✿，YMTC 计划今年扩大其生产能力◈✿，目标是在 2026 年底前占据 NAND 存储器生产市场的 15%◈✿，据《Digitimes》报道◈✿。该公司还计划建设一条仅使用中国制造设备的试验生产线◈✿。YMTC 将扩大产能至每月 15 万片晶圆启动据 DigiTimes 报道◈✿，预计到 2024 年底◈✿，YMTC 的月产能将达到每月

　　中国存储半导体公司长鑫存储科技 （CXMT） 和长江存储科技 （YMTC） 正在加强其在全球存储半导体市场的影响力◈✿，在大约一年后将其产能几乎翻了一番◈✿。自去年以来◈✿，中国内存开始在三星电子和 SK 海力士主导的通用 DRAM 市场中崭露头角◈✿，从传统 DRAM 开始◈✿，在国内市场需求和政府补贴的推动下◈✿，中国内存正在提高其竞争力◈✿。此外◈✿，它还对高带宽内存 （HBM） 和 300 层 3D NAND 闪存等先进产品线提出了挑战◈✿，缩小了与三星电子和 SK 海力士的差距◈✿。根据 ChosunBiz 21 日获得的 Omdia

　　根据TrendForce预估◈✿，第三季NAND Flash价格走势◈✿，预估平均合约价将季增5%至10%◈✿，但eMMC◈✿、UFS产品◈✿，因智慧手机下半年展望不明我也是花下载◈✿，涨幅较低◈✿。client SSD市场因OEM/ODM上半年去化库存情况优于预期◈✿，增强第三季回补动能◈✿。 而Windows 10停止支持◈✿、新一代CPU推出引发换机潮◈✿，以及DeepSeek一体机热潮◈✿，皆带动client SSD需求◈✿。此外◈✿，部分原厂积极推动大容量QLC产品◈✿，带动出货规模◈✿。 综合以上因素◈✿，预估第三季client SSD将季增3%至8%◈✿。随NVIDIA B

　　SSD 对于提升 PC 及客户端设备的用户体验和系统性能至关重要◈✿。Micron Technology Inc.近日宣布◈✿，推出美光 2600 NVMe™ SSD◈✿，专为原始设备制造商（OEM）设计的高性价比客户端存储解决方案◈✿。2600 SSD 搭载业界首款应用于SSD的第九代 QLC NAND（G9 QLC NAND）◈✿，并采用美光创新的自适应写入技术（Adaptive Write Technology™◈✿，AWT）◈✿，在兼顾 QLC

　　TrendForce最新释出的存储器市场观察指出◈✿，2025年第二季以来快速上涨的DDR4价格涨势◈✿，恐将在第四季触顶回落; 而NAND市场虽受惠AI需求带动◈✿，但因供需未形成紧张态势◈✿，价格预期多呈持平◈✿。TrendForce表示我也是花下载◈✿，DDR4近期的强劲涨势◈✿，主要来自供应商削减产出与市场抢货潮◈✿，但这波动能可能难以延续至年底◈✿。根据通路查核◈✿，随着价格进入高档区间◈✿，供应商正逐步释出库存◈✿，预期第四季整体供应将逐步改善◈✿。DDR5方面◈✿，目前价格趋势稳定◈✿，2025年第二◈✿、三季价格季增幅度预估介于3%至8%之间◈✿。 不过◈✿，部分二线OE

　　纵观整个电子行业pp电子设备◈✿，往更高密度的集成电路发展无疑是主流趋势◈✿。相对于逻辑电路追求晶体管密度提升◈✿，类似于FLASH NAND这样的非易失性存储还需要考虑到电子的稳定保存◈✿，单纯的提升制造工艺并不能很好的解决所有存储问题◈✿，在稳定保存的前提下追求更高的存储密度才能确保新技术◈✿、新产品可持续发展◈✿，存储单元向上要空间成为顺理成章的事情◈✿，因此在SLC（Single-Level Cell）之后才有MLC（Multi-Level Cell）◈✿，TLC（Triple-Level Cell）◈✿，以及日渐成为主流的QLC（Quad-Lev

　　韩国顶尖国家级研究机构 KAIST 发布了一份 371 页的论文◈✿，详细介绍了到 2038 年高带宽内存（HBM）技术的演进◈✿，展示了带宽◈✿、容量◈✿、I/O 宽度以及热量的增加◈✿。该路线D 堆叠◈✿、以内存为中心的架构以及嵌入 NAND 存储◈✿，甚至基于机器学习的方法来控制功耗◈✿。请记住我也是花下载◈✿，该文件是关于 HBM 技术假设演进的◈✿，基于当前行业和研究方向◈✿，而不是任何商业公司的实际路线图◈✿。（图片来源◈✿：KAIST）每堆叠的 HBM 容量将从 288GB 增加到 34

　　上半年◈✿，时至过半◈✿。回顾这半年的半导体市场◈✿，似是相对平静◈✿，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整◈✿。它们接连「动刀」◈✿，果断退出部分产品领域◈✿。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头pp电子设备◈✿，放弃这些芯片存储三巨头◈✿，计划停产 DDR3 和DDR4关于三星◈✿、SK 海力士◈✿、美光等主要 DRAM 制造商计划停产 DDR3 和 DDR4 内存的消息◈✿，想必业内人士早有耳闻◈✿。今年 2 月◈✿，这则消息正式传来◈✿，这一决策是由于对 HBM（高带宽内存）和 DDR5 等

　　据消息人士透露◈✿，三星计划在下个月停止接收MLC NAND芯片的订单◈✿，标志着其将逐步退出MLC NAND（多层单元NAND）业务◈✿。同时◈✿，三星还提高了MLC NAND的价格◈✿，促使部分客户开始寻找替代供应商◈✿。LG显示（LG Display）正是受影响的客户之一我也是花下载◈✿。该公司此前在其用于大型OLED面板的4GB eMMC（嵌入式多媒体卡）中使用三星的MLC NAND◈✿。目前◈✿，LG显示正在寻求其他供应商◈✿，以填补这一空缺◈✿。据悉◈✿，LG显示此前的eMMC产品还使用了ESMT和铠侠的产品◈✿。其中◈✿，ESMT的eMMC采用了三星的MLC

　　业界传出◈✿，全球BT载板用基材龙头的日本三菱瓦斯化学株式会社（MGC）◈✿，近日向客户发出BT材料「延迟交付」通知◈✿。 随着原料缺货日益严峻◈✿，载板供应中长期将出现短缺◈✿。 供应链业者同步透露pp电子设备◈✿，金价持续上涨◈✿、产品交期延长◈✿，NAND Flash控制芯片等领域◈✿，也可望转嫁成本上涨◈✿，包括群联◈✿、慧荣等主控业者有机会受惠◈✿。多家BT载板业者证实◈✿，确实2025年5月上旬时◈✿，陆续接获日本MGC书面通知◈✿，部分高阶材料订单交期将进一步拉长◈✿，显示先前传出ABF载板材料供不应求的情形◈✿，已进一步向BT载板供应链蔓延◈✿。据三菱发出的通知内容指出◈✿，

　　Sandisk Corp. 正在寻求 3D-NAND 闪存的创新pp电子设备◈✿，该公司声称该创新可以取代基于 DRAM 的 HBM（高带宽内存）用于 AI 推理应用◈✿。当 Sandisk 于 2025 年 2 月从数据存储公司 Western Digital 分拆出来时◈✿，该公司表示◈✿，它打算在提供闪存产品的同时追求新兴颠覆性内存技术的开发◈✿。在 2 月 11 日举行的 Sandisk 投资者日上◈✿，即分拆前不久◈✿，即将上任的内存技术高级副总裁 Alper Ilkbahar 介绍了高带宽闪存以及他称之为 3D 矩阵内存的东西◈✿。在同

　　业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash◈✿，该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理（BBM）功能◈✿，可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢◈✿、易受坏块干扰的行业痛点◈✿。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量◈✿、低成本优势的新型解决方案◈✿，GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇◈✿，成为安防◈✿、工业◈✿、IoT等快速启动应用场景的理想之选我也是花下载◈✿。GD5F1GM9系列

　　一般快闪记忆体可分为二大规格◈✿，一是NAND◈✿，一是NOR. 简单的来说pp电子设备◈✿，NAND规格快闪记忆体像硬碟◈✿，以储存数据为主◈✿，又称为Data Flash◈✿，晶片容量大◈✿，目前主流容量已达二Gb◈✿；NOR规格记忆体则类似DRAM◈✿，以储存程序代码为主◈✿，又称为Co deFlash◈✿，所以可让微处理器直接读取◈✿，但晶片容量较低◈✿，主流容量为五一二Mb◈✿。 NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同◈✿，读写速度也有很 [查看详细]